El Japó està molt per davant en aquestes tres tecnologies principals, deixant enrere la resta del país.

El primer a patir el pes és la cinquena generació de material monocristal per a les últimes pales de motor de turbina.Com que l'entorn de treball de la pala de la turbina és molt dur, ha de mantenir una velocitat extremadament alta de desenes de milers de revolucions a una temperatura extremadament alta i alta pressió.Per tant, les condicions i els requisits per a la resistència a la fluència a alta temperatura i alta pressió són molt durs.La millor solució per a la tecnologia actual és estirar el confinament del cristall en una direcció.En comparació amb els materials convencionals, no hi ha límit de gra, la qual cosa millora molt la força i la resistència a la fluència a alta temperatura i alta pressió.Hi ha cinc generacions de materials de cristall simple al món.Com més s'arriba a l'última generació, menys es veu l'ombra dels antics països desenvolupats com els Estats Units i el Regne Unit, i molt menys la superpotència militar Rússia.Si el cristall únic de quarta generació i França amb prou feines ho poden suportar, el nivell de tecnologia de cristall únic de cinquena generació només pot ser el món del Japó.Per tant, el material monocristal més important del món és el monocristal TMS-162/192 de cinquena generació desenvolupat pel Japó.El Japó s'ha convertit en l'únic país del món que pot fabricar materials de cristall únic de cinquena generació i té dret absolut a parlar al mercat mundial..Preneu com a comparació el material de la pala de la turbina del motor F119/135 CMSX-10 de tercera generació d'alt rendiment que s'utilitza als EUA F-22 i F-35.Les dades de comparació són les següents.El clàssic representant del cristall simple de tres generacions és la resistència a la fluència del CMSX-10.Sí: 1100 graus, 137Mpa, 220 hores.Aquest ja és el nivell més alt dels països desenvolupats d'Occident.

Seguit pel material de fibra de carboni líder mundial del Japó.A causa del seu pes lleuger i alta resistència, la fibra de carboni és considerada per la indústria militar com el material més ideal per a la fabricació de míssils, especialment els millors ICBM.Per exemple, el míssil "Dwarf" dels Estats Units és un petit míssil estratègic intercontinental sòlid dels Estats Units.Pot maniobrar a la carretera per millorar la supervivència prèvia al llançament del míssil i s'utilitza principalment per colpejar pous de míssils subterranis.El míssil també és el primer míssil estratègic intercontinental del món amb una guia completa, que utilitza nous materials i tecnologies japoneses.

Hi ha una gran bretxa entre la qualitat, la tecnologia i l'escala de producció de la fibra de carboni de la Xina i els països estrangers, especialment la tecnologia de fibra de carboni d'alt rendiment està completament monopolitzada o fins i tot bloquejada pels països desenvolupats d'Europa i Amèrica.Després d'anys d'investigació, desenvolupament i producció d'assaig, encara no hem dominat la tecnologia bàsica de la fibra de carboni d'alt rendiment, de manera que encara necessita temps per localitzar la fibra de carboni.Val la pena esmentar que la nostra fibra de carboni de grau T800 només es produïa al laboratori.La tecnologia japonesa supera amb escreix la T800 i la fibra de carboni T1000 que ja ha ocupat el mercat i produïda en massa.De fet, el T1000 és només el nivell de fabricació de Toray al Japó a la dècada de 1980.Es pot veure que la tecnologia japonesa en el camp de la fibra de carboni està almenys 20 anys per davant d'altres països.

Un cop més, el material nou líder utilitzat en els radars militars.La tecnologia més crítica del radar de matriu en fase activa es reflecteix en els components del transceptor T/R.En particular, el radar AESA és un radar complet format per milers de components de transceptor.Els components T/R sovint estan empaquetats per almenys un i com a màxim quatre materials de xip de semiconductors MMIC.Aquest xip és un microcircuit que integra els components del transceptor d'ones electromagnètiques del radar.No només és responsable de la sortida d'ones electromagnètiques, sinó també de rebre-les.Aquest xip està gravat fora del circuit a tota la hòstia de semiconductors.Per tant, el creixement cristal·lí d'aquesta hòstia de semiconductors és la part tècnica més crítica de tot el radar AESA.

Per Jessica